产品简介
RO-215氧化钌传感器是厚膜电阻器,遵循单一电阻与温度曲线。它们在磁场环境中具有优异的性能特征。RO-215在物理上提供相似之处,但具有更高的校准精度,并且“预期”具有大于20mK的可重复性。
RO-215氧化钌传感器是厚膜电阻器,遵循单一电阻与温度曲线。它们在磁场环境中具有优异的性能特征。RO-215在物理上提供相似之处,但具有更高的校准精度,并且“预期”具有大于20mK的可重复性。
RO-215氧化钌传感器是厚膜电阻器,遵循单一电阻与温度曲线。它们在磁场环境中具有优异的性能特征。RO-215在物理上提供相似之处,但具有更高的校准精度,并且“预期”具有大于20mK的可重复性。
RO-215氧化钌超低温温度传感器系列精度:
“A”系列:
+/- 0.1K from 2K to 50K
+/- 0.75K from 50K to 100K
“B”系列:
+/- 0.2K from 2K to 50K
+/- 1K from 50K to 100K
“C”系列:
+/- 0.2K from 2K to 50K
+/- 1.5K from 50K to 100K
“D”系列:
+/- 0.3K from 2K to 50K
+/- 3K from 50K to 100K
*不校准:
+/- 0.3K from 2K to 50K
双引线选项:
36 AWG铜绞线,绝缘:特氟龙
36 AWG磷青铜,粘结绝缘:聚酰亚胺(推荐)
32 AWG磷青铜,粘结绝缘:聚酰亚胺
30 AWG磷青铜,粘结绝缘:聚酰亚胺
四引线选项:
36 AWG铜绞线,绝缘:特氟龙
36 AWG磷青铜,粘结绝缘:聚酰亚胺(推荐)
32 AWG磷青铜,粘结绝缘:聚酰亚胺
可提供长度从6英寸到15英尺的特氟龙保护套
参数:
型号 | RO-215 |
量程 | 2.0K to 100K |
激励 | 10uA |
重复性 | +/- 20mK @ 4.2K |
磁场中使用 | No MR for B<2T; negligible positive MR for B>2T |
封装方式 | Copper Can, Bobbin, Direct FoC (film-on-ceramic) |
可互换性 | Yes |
校准选项 | Yes, +/- 30mK accuracy @ 4.2K |
尺寸( 芯片)[mil] | 177 x 80 x 15 |
尺寸( 芯片)[mm] | 4.5 x 2.03 x 0.38 |
技术 | RuO 厚膜定制油墨,直接印刷上釉,远程焊垫,以减少对薄膜的热量 |
在4.2K时磁场:
Model | 2T | 8T |
RO-215 | 0.01K | 0.1K |