HSEM-06PS室温变场探针台霍尔测试系统可以为精密微小（纳米级）的微电子器件提供一个可变磁场的测试环境。系统通过显微镜将被测样品放大，用高精度微探针进行扎针，外部连接霍尔测量仪可进行霍尔测试和分析。 
HSEM-06PS室温变场探针台霍尔测试系统为最大4英寸待测样品、器件提供了一个垂直可变磁场环境。外部连接其他电测仪表可在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏电学测试，比如不同磁场下电流、电压、电阻等电学信号等。

系统特点：

• 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品，采用多孔分区控制气体吸附固定。（可定制其他尺寸） 
• 能提供可变的磁场环境，磁场大小±0.6T 
• 最多可安装6个探针臂 
• 探针臂采用磁铁吸附，可任意移动，并且可以三维微调操作方便，扎针精准，四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。 
• 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电流小，在100fA以内 
• CCD最大放大倍数为180倍，最大工作距离为100mm

测试材料：

• 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）
• 有机材料：（OFET、OLED）
• 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等）
• 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等

参数和指标：

标准电阻范围	10mΩ-100GΩ
迁移率	10-2-106cm2/VS
载流子浓度	8x102-8x1023/cm3
霍尔电压	分辨率为 1μV
电压激励范围	100nV ~ 10V
电流激励范围	10pA ~ 100mA
测试方法	范德堡或霍尔巴
样品尺寸	50mm或100mm
样品接触方式	三维精细位移探针臂扎针，最小满足 3μm电极扎针
样品温度	室温
样品环境	大气，可选氮气氛围
磁场	±0.6T
磁场调节方式	自动
磁铁间隙	30mm
磁场均匀区	10mm*10mm*10mm优于5%

• 集成电路
• 芯片
• 晶圆片